| 一种适用于NOR结构快闪存储器的快速页编程算法 |
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| 引用本文： | 伍冬,潘立阳,杨光军,朱钧. 一种适用于NOR结构快闪存储器的快速页编程算法[J]. 电路与系统学报, 2008, 13(4) |
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| 作者姓名： | 伍冬 潘立阳 杨光军 朱钧 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 为了降低NOR结构快闪存储器的编程时间,本文提出一种能够根据编程数据的特点改变编程脉冲时序的快速页编程算法.它通过一个简单的判断电路对输入的编程数据中"1"的个数进行判断,并在状态机的控制下产生具有最小编程时间的页编程脉冲时序,从而达到缩短页编程时间的目的.统计结果表明,本算法的页编程时间不到传统方法的70%.
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| 关 键 词： | 快闪存储器 NOR结构 编程算法 状态机 |
Fast page programming algorithm for NOR flash memory |
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| WU Dong,PAN Li-yang,YANG Guang-jun,ZHU Jun. Fast page programming algorithm for NOR flash memory[J]. Journal of Circuits and Systems, 2008, 13(4) |
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| Authors: | WU Dong PAN Li-yang YANG Guang-jun ZHU Jun |
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