| 生长停顿对量子点激光器的影响 |
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| 引用本文： | 汪辉 王海龙. 生长停顿对量子点激光器的影响[J]. 红外与毫米波学报, 2000, 19(5): 347-350 |
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| 作者姓名： | 汪辉 王海龙 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格和微结构国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 科技部攀登计划，中国科学院资助项目，19823001，69776016，， |
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| 摘 要： | 在ＩｎＡｓ自组织量子点的ＧａＡｓ覆盖层中引入生长停顿，将这种量子点结构作激光器的有源区，与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现：生长停顿可以降低激光器的阈值电流，提高其特征温度，改善激光波长的温度稳定性。简单的分析表明，量子点中的能带填充效应影响了激光波长的温度特性。
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| 关 键 词： | 自组织量子点 量子点激光器 生长停顿 砷化铟 |
THE INFLUENCE OF GROWTH INTERRUPTION ON QUANTUM DOT LASER |
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| WANG Hui,WANG Hai-Long,WANG Xiao-Dong,NIU Zhi-Chuan,FENG Song-Lin. THE INFLUENCE OF GROWTH INTERRUPTION ON QUANTUM DOT LASER[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2000, 19(5): 347-350 |
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| Authors: | WANG Hui WANG Hai-Long WANG Xiao-Dong NIU Zhi-Chuan FENG Song-Lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | self organized InAs quantum dots quantum dots laser growth interruption band filling. |
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