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| 用多层加热器LEC方法和同时掺镓和砷生长半绝缘低位错磷化铟单晶 | |
| 引用本文： | A.Shimizu,齐学参.用多层加热器LEC方法和同时掺镓和砷生长半绝缘低位错磷化铟单晶[J].微纳电子技术,1987(3). |
| 作者姓名： | A.Shimizu 齐学参 |
| 摘 要： | 用多层加热器VM-LEC工艺和同时掺镓和砷拉制了直径为2in的半绝缘低位错磷化铟单晶。熔体中镓和砷的浓度小于10~(19)～10~(20)cm~(-3)就能有效地把位错减小到1～5×10~3/cm~(-2)。镓和砷的掺入没有影响电阻率和光荧光谱。在单晶上生长的外延层中没有观察到失配位错。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |