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采用LDMOS的HVIC的研究
作者姓名:唐国洪 陈德英
摘    要:LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点,如输入

关 键 词:MOS器件 功率器件 HVIC LDMOS
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