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高线性度上变频混频器设计
引用本文:李鸣,唐守龙,罗岚,黄成,时龙兴.高线性度上变频混频器设计[J].电子器件,2004,27(4):603-606.
作者姓名:李鸣  唐守龙  罗岚  黄成  时龙兴
作者单位:东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096;东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096
摘    要:首先介绍了二次变频接收机的架构及其优点,随后采用Gilbert单元设计了适用于二次变频结构数字电视调谐器的上变频混频器。基于Chartered 0.25/μmCMOS工艺的仿真结果显示该混频器达到了良好的性能;转换增益为3dB,在50~860MHz的频率范围内增益变化小于0.5dB,IIP3为10dBm,在3.3V单电源下消耗20mA的电流。对实际样片的测试表明电路的混频功能良好。

关 键 词:上变频混频器  线性度  0.25  μm  CMOS
文章编号:1005-9490(2004)04-0603-04
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