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| 定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究 | |
| 引用本文： | 王万录,张振刚,廖克俊,吴彬,张世斌,廖梅勇.定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究[J].半导体学报,1997,18(6):474-477. |
| 作者姓名： | 王万录 张振刚 廖克俊 吴彬 张世斌 廖梅勇 |
| 作者单位： | [1]重庆大学应用物理系 [2]兰州大学物理系 |
| 摘 要： | 本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在200微应变，室温下约为1300．其值大大超过了单晶硅的相应值，这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了测试方法，文中还简单讨论了金刚石膜压阻效应的起因． |
| 关 键 词： | 异质外延生长 金刚石膜 压阻效应 |
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