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HL—1装置中的TiC涂层辐照实验研究
引用本文:洪文玉,唐素筠.HL—1装置中的TiC涂层辐照实验研究[J].真空,1990(3):39-44.
作者姓名:洪文玉  唐素筠
作者单位:西南物理研究院 四川 乐山 (洪文玉,唐素筠),西南物理研究院 四川 乐山(常淑芬)
基金项目:国家自然科学基金资助项目
摘    要:利用HL-1装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的TiC涂层。对辐照前、后 的样品进行了俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XDS)分析,得 出:TiC涂层内Ti、C分布比较均匀;在高功率托卡马克放电辐照下,化学腐蚀现象 较为严重,但没有改变TiC结构相(立方TiC);并有一定的择优取向。同时还发现 C的优先溅射作用及 Ti向石墨基体深层扩展现象。

关 键 词:TiC涂层  HL-1装置  辐照
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