| SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应 |
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| 引用本文： | 刘书焕,林东生,郭晓强,刘红兵,江新标,朱广宁,李达,王祖军,陈伟,张伟,周辉,邵贝贝,李君利.SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应[J].半导体学报,2007,28(1):78-83. |
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| 作者姓名： | 刘书焕 林东生 郭晓强 刘红兵 江新标 朱广宁 李达 王祖军 陈伟 张伟 周辉 邵贝贝 李君利 |
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| 作者单位： | 清华大学工程物理系，北京 100084;西北核技术研究所，西安 710613;西北核技术研究所，西安 710613;西北核技术研究所，西安 710613;中国电子科技集团第13研究所，石家庄 050051;西北核技术研究所，西安 710613;西北核技术研究所，西安 710613;西北核技术研究所，西安 710613;西北核技术研究所，西安 710613;西北核技术研究所，西安 710613;清华大学微电子研究所，北京 100084;西北核技术研究所，西安 710613;清华大学工程物理系，北京 100084;清华大学工程物理系，北京 100084 |
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| 基金项目： | 超高速专用集成电路重点实验室基金
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGe HBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256.85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGe HBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGe HBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.
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| 关 键 词： | SiGe HBT 辐射效应 反应堆 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)01-0078-06 |
| 收稿时间： | 6/21/2006 1:27:49 PM |
| 修稿时间： | 9/5/2006 1:30:59 PM |
Experimental Study on Pulse Neutron and Gamma Ray Irradiation Effects on SiGe HBT |
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| Liu Shuhuan,Lin Dongsheng,Guo Xiaoqiang,Liu Hongbing,Jiang Xinbiao,Zhu Guangning,Li D,Wang Zujun,Chen Wei,Zhang Wei,Zhou Hui,Shao Beibei and Li Junli.Experimental Study on Pulse Neutron and Gamma Ray Irradiation Effects on SiGe HBT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(1):78-83. |
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| Authors: | Liu Shuhuan Lin Dongsheng Guo Xiaoqiang Liu Hongbing Jiang Xinbiao Zhu Guangning Li D Wang Zujun Chen Wei Zhang Wei Zhou Hui Shao Beibei and Li Junli |
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| Abstract: | Changes in the typical electronic parameters of SiGe HBTs irradiated by pulse neutron and gamma rays from a reactor are measured.The DC common emitter static current gain of the SiGe HBTs only decreases by about 20% after being irradiated with 1e13cm-2 neutron fluence and 256.85Gy(Si) gamma total dose.The base current and the junction leakage current increase,while the collector current and the breakdown voltage decrease for SiGe HBTs after radiation.After irradiation,the cutoff frequency fT is nearly unchanged,but the maximum oscillation frequency fmax decreases a little.The mechanisms of the reactor pulse neutron and gamma rays irradiation damage for SiGe HBTs are preliminarily analyzed. |
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| Keywords: | SiGe HBT radiation effects reactor |
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