| 溅射功率变更对In-Sn-Zn-O TFT器件性能的影响研究 |
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| 引用本文： | 梁永烨,杜红棉,裴东兴,刘帆,焦耀晗.溅射功率变更对In-Sn-Zn-O TFT器件性能的影响研究[J].电视技术,2015,39(9). |
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| 作者姓名： | 梁永烨 杜红棉 裴东兴 刘帆 焦耀晗 |
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| 作者单位： | 1. 中北大学电子测试技术国家重点实验室,山西太原030051;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;成均馆大学情报与通讯学院,韩国京畿道水原市440-746
2. 中北大学电子测试技术国家重点实验室,山西太原030051;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051 |
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| 摘 要： | 以硅作为衬底,以采用不同直流(DC)磁控溅射功率制备的ITZO薄膜作为有源层制备了薄膜晶体管(TFTs)器件.在溅射功率从80 W变化到160 W的过程中,对ITZO TFTs的电气性能和稳定性进行了研究.当溅射功率为80 W时,器件具有最低的有源层载流子浓度(Nd)2.58×1017cm-3以及有源层与栅极绝缘层接触面最小的缺陷阱密度(Nt)5.677×1011cm-2,器件显示出优秀的电气性能.例如:0.156 V/dec的亚阈值摆幅(SS)、-3.596 V的开启电压(VON)、-1.872 V的阈值电压(VTH)和高达7.773×108的电流开关比(ION/IOFF).与此同时,在负向偏置压力下,该器件也显示出最强的电气稳定性.由测试结果看出,较低的溅射功率有助于ITZO TFTs器件性能的提升.
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| 关 键 词： | ITZO TFTs 直流磁控溅射功率 载流子浓度 接触面缺陷密度 |
Effects of Sputtering Power on the Performance of In-Sn-Zn-O Thin-film Transistors |
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| LIANG Yongye,DU Hongmian,PEI Dongxing,LIU Fan,JIAO Yaohan.Effects of Sputtering Power on the Performance of In-Sn-Zn-O Thin-film Transistors[J].Tv Engineering,2015,39(9). |
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| Authors: | LIANG Yongye DU Hongmian PEI Dongxing LIU Fan JIAO Yaohan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITZO TFTs DC magnetron sputtering power carrier concentration interface state density |
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