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离子束辅助低能碳离子注入工艺原理
引用本文:周灵平,李绍禄,陈劲松,李德意,陈小华.离子束辅助低能碳离子注入工艺原理[J].微细加工技术,2004(3):14-18.
作者姓名:周灵平  李绍禄  陈劲松  李德意  陈小华
作者单位:湖南大学,材料科学与工程学院,长沙,410082
摘    要:离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入,它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度,其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1~2倍。离子束流实行交替变化,有利于保持较低的样品基体温度,且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺,离子注入改性后,40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。

关 键 词:离子束辅助离子注入  低能离子注入  表面改性  离子柬
文章编号:1003-8213(2004)03-0014-05
修稿时间:2003年9月30日

Study on the Technology Principle of Ion-beam Assisted Low-energy Carbon Ion Implantation
ZHOU Ling-ping,LI Shao-lu,CHEN Jin-song,LI De-yi,CHEN Xiao-hua.Study on the Technology Principle of Ion-beam Assisted Low-energy Carbon Ion Implantation[J].Microfabrication Technology,2004(3):14-18.
Authors:ZHOU Ling-ping  LI Shao-lu  CHEN Jin-song  LI De-yi  CHEN Xiao-hua
Abstract:
Keywords:ion-beam assisted ion implantation  low-energy ion implantation  surface modification  ion beam
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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