| 中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响 |
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| 引用本文： | 孟祥提. 中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响[J]. 核技术, 1994, 17(2): 69-73 |
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| 作者姓名： | 孟祥提 |
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| 作者单位： | 清华大学核能技术设计研究院 |
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| 摘 要： | 用正电子湮没寿命和多普勒加宽测量研究了不同注量中子辐照的氩气氛区熔单晶硅中缺陷的退火行为，发现不同中子注量辐照时，辐照致空位型缺陷的退火行为十分类似，并均在５５０℃时退火消除；但辐照致双空位浓度、二次双空位和四空位型缺陷的产生、浓度和消除温度很不相同。简单陷阱模型不适用于５００℃以下退火的离中子注量辐照的单晶硅，但能部分适用于中等注量辐照的单晶硅。
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| 关 键 词： | 中子辐照 单晶硅 缺陷 退火 |
Influence of neuteron radiation dose on annealing behaviour of defects in c-Si |
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| Meng Xiangti. Influence of neuteron radiation dose on annealing behaviour of defects in c-Si[J]. Nuclear Techniques, 1994, 17(2): 69-73 |
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| Authors: | Meng Xiangti |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Neutron irradiation NTD Si Point defects Positron annihilation |
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