用热壁外延技术在CdTe衬底上生长CdTe薄膜 |
| |
引用本文: | 王跃,宋炳文.用热壁外延技术在CdTe衬底上生长CdTe薄膜[J].红外技术,1987(4). |
| |
作者姓名: | 王跃 宋炳文 |
| |
作者单位: | 昆明物理研究所,昆明物理研究所 |
| |
摘 要: | 利用热壁外延技术在CdTe衬底的(111)A面和B面生长了CdTe薄膜。源温度和衬底温度分别在670~800℃和600~760℃之间,生长速率为0.8~1.3μm/h。X射线衍射和荧光分析表明,CdTe外延层为111]方向生长的高纯单晶薄膜,外延层表面组分和纵向组分均勺;回摆曲线峰半高宽的典型值为1.38′,表明外延层为高质量的CdTe单晶膜。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|