| OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀 |
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| 引用本文： | 敖金平,曾庆明,赵永林,李献杰,蔡克理,梁春广,刘式墉.OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀[J].微纳电子技术,1999(1). |
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| 作者姓名： | 敖金平 曾庆明 赵永林 李献杰 蔡克理 梁春广 刘式墉 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子工程系，电子工业部第十三研究所 |
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| 摘 要： | 试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的光响应度可达到０．５Ａ／Ｗ，ＨＥＭＴ器件最大跨导为３０５ｍＳ／ｍｍ，最大饱和电流密度为３５０ｍＡ／ｍｍ。完成了实现ＯＥＩＣ光接收机的关键一步。
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| 关 键 词： | MSM OEIC 选择腐蚀 光接收机 |
Selective Wet Etching for OEIC Photoreceiver |
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| Abstract: | In this work,selective etching of InAl(Ga)As∶InP and InGaAs∶InAlAs has been effectively realized using citric acid and H 2O 2 series etchant.In the same chip,the responsivity of MSM photodetector is 0 5A/W,the maximum transconductance of HEMT is 305mS/mm and the maximum current density is 350mA/mm.This is the key step to realize OEIC photoreceiver. |
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| Keywords: | MSM OEIC Selective etching Photoreceiver |
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