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OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀
引用本文:敖金平,曾庆明,赵永林,李献杰,蔡克理,梁春广,刘式墉.OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀[J].微纳电子技术,1999(1).
作者姓名:敖金平  曾庆明  赵永林  李献杰  蔡克理  梁春广  刘式墉
作者单位:吉林大学电子工程系,电子工业部第十三研究所
摘    要:试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现InAl(Ga)As∶InP和InGaAs∶InAlAs的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上MSM(金属-半导体-金属)光探测器的光响应度可达到0.5A/W,HEMT器件最大跨导为305mS/mm,最大饱和电流密度为350mA/mm。完成了实现OEIC光接收机的关键一步。

关 键 词:MSM  OEIC  选择腐蚀  光接收机

Selective Wet Etching for OEIC Photoreceiver
Abstract:In this work,selective etching of InAl(Ga)As∶InP and InGaAs∶InAlAs has been effectively realized using citric acid and H 2O 2 series etchant.In the same chip,the responsivity of MSM photodetector is 0 5A/W,the maximum transconductance of HEMT is 305mS/mm and the maximum current density is 350mA/mm.This is the key step to realize OEIC photoreceiver.
Keywords:MSM  OEIC  Selective etching  Photoreceiver
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