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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
优质吸除硅片本征吸除能力的研究
作者姓名:
高秀清
文希孟
陈炳贤
王计川
作者单位:
中国原子能科学研究院(高秀清,文希孟,陈炳贤),中国原子能科学研究院(王计川)
摘 要:
本工作采用反应堆中子活化分析与化学腐蚀剥层相结合的方法,进行本征吸除硅片对重金属杂质吸除能力的研究。 用高温热处理法,将一定量的金引入本征吸除硅片内,制成引入金的测试样片。将样片置于反应堆内辐照,使杂质金活化。辐照通量为:2.6×10~(13)n/cm~2·s,辐照60小时,冷却3天。活化后的样片,用特制的聚四氟乙烯模具掩模,进行化学剥层处理,单次剥层厚度为10μm或20μm,剥层误差小于3%。蚀刻液用SCORPIO-3000多道分析器作~(198)Au的γ-谱分析。
关 键 词:
吸除硅片
本征吸除
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