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定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究
引用本文:丁书龙,郭建,颜晓红,宣凯,林铁军. 定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究[J]. 材料导报, 2005, 19(Z2): 74-75,83
作者姓名:丁书龙  郭建  颜晓红  宣凯  林铁军
作者单位:湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭,411105
摘    要:用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.

关 键 词:半导体材料  气相生长  化学气相沉积

Synthesis and Growth Mechanism of Aligned ZnO Nanowires
DING Shulong,GUO Jian,YAN Xiaohong,XUAN Kai,LIN Tiejun. Synthesis and Growth Mechanism of Aligned ZnO Nanowires[J]. Materials Review, 2005, 19(Z2): 74-75,83
Authors:DING Shulong  GUO Jian  YAN Xiaohong  XUAN Kai  LIN Tiejun
Abstract:
Keywords:
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