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电镀纳米镍缺陷的正电子研究
引用本文:吴秋允 初业隆. 电镀纳米镍缺陷的正电子研究[J]. 核技术, 1998, 21(4): 213-216
作者姓名:吴秋允 初业隆
作者单位:中国科学院金属研究所,辽宁省材料与氢重点实验室
摘    要:用正电子寿命谱研究了电镀纳米镍(~20nm)中的微观缺陷,分析了缺陷中氢对正电子寿命的影响,实验结果表明,界面存在单空位大小的自由体积,6-10个空位大小的自由体积和微孔洞三类缺陷,纳米镍在500℃真空退火2h后,中间寿命和最长寿命的强度不受影响,表明中间寿命和最长寿命所对应的缺陷具有很好的热稳定性。

关 键 词:正电子湮没 电镀纳米镍 微观缺陷 纳米材料

Defect study of electrodeposited nanocrystalline Ni by positronannihilation technique
WU Qiuyun CHU Yelong XIONG Liangyue SUN Xiukui HU Zhuangqi. Defect study of electrodeposited nanocrystalline Ni by positronannihilation technique[J]. Nuclear Techniques, 1998, 21(4): 213-216
Authors:WU Qiuyun CHU Yelong XIONG Liangyue SUN Xiukui HU Zhuangqi
Abstract:
Keywords:Positron annihilation   Electrodeposited nano-Ni   Micro-defect  
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