| 温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响 |
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| 引用本文： | 李现祥,李娟,董捷,王丽,姜守振,韩荣江,徐现刚,王继扬,胡小波,蒋民华. 温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 3084-3086 |
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| 作者姓名： | 李现祥 李娟 董捷 王丽 姜守振 韩荣江 徐现刚 王继扬 胡小波 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家863高技术计划资助项目(2001AA311080);国家自然科学基金资助项目(60025409) |
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| 摘 要： | 利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶.通过实验发现在相同的轴向温度梯度下,SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大.通过减小轴向温度梯度,降低晶体生长界面的径向过饱和度分布,可以抑制多型的生长.通过优化温场的径向温度梯度,利用φ50mm的籽晶进行生长,得到了φ57mm的SiC单晶,实现了晶体的扩径生长.
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| 关 键 词： | SiC单晶 温度及温度梯度 生长速率 多型 扩径生长 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-3084-03 |
| 修稿时间： | 2004-04-30 |
Influence of temperature and temperature gradient on the growth of SiC monocrystals |
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| LI Xian-xiang,LI juan,DONG Jie,WANG Ii,JIANG Shou-zhen,HAN Rong-jiang,XU Xian-gang,WANG Ji-yang,Hu Xiao-bo,JIANG Min-hua. Influence of temperature and temperature gradient on the growth of SiC monocrystals[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(Z1): 3084-3086 |
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| Authors: | LI Xian-xiang LI juan DONG Jie WANG Ii JIANG Shou-zhen HAN Rong-jiang XU Xian-gang WANG Ji-yang Hu Xiao-bo JIANG Min-hua |
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