| 采用多次离子注入调整亚微米CMOS电路的阈电压 |
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| 引用本文： | 章定康 ？余山. 采用多次离子注入调整亚微米CMOS电路的阈电压[J]. 微电子学与计算机, 1993, 0(5): 46-48 |
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| 作者姓名： | 章定康 ？余山 |
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| 作者单位： | 航空航天部骊山微电子学研究所，航空航天部骊山微电子学研究所，航空航天部骊山微电子学研究所，航空航天部骊山微电子学研究所 陕西临潼 710600，陕西临潼 710600，陕西临潼 710600，陕西临潼 710600 |
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| 摘 要： | 采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压.与LDD、硅化物工艺相合,已研制出0.5μm的CMOS 27级环振电路,门延迟为130ps.
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| 关 键 词： | CMOS 亚微米 离子注入 阈值电压 |
Threshold Voltage Modulation Technology Using Multiple Ion Implantion for Submicron CMOS |
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| Zhang Dingkang,Yu Shan,Sun Youmin,Huang Chang. Threshold Voltage Modulation Technology Using Multiple Ion Implantion for Submicron CMOS[J]. Microelectronics & Computer, 1993, 0(5): 46-48 |
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| Authors: | Zhang Dingkang Yu Shan Sun Youmin Huang Chang |
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| Affiliation: | Lishan Microelectronics Institute |
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| Keywords: | Ion implantation Threshold voltage Punch-through voltage |
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