首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

光纤光栅外腔半导体激光器的模式抑制比研究
作者姓名:李松柏  夏光琼  邓涛  吴正茂
作者单位:西南大学物理学院,重庆,400715;涪陵师范学院,重庆涪陵,408000;西南大学物理学院,重庆,400715
摘    要:本文在考虑了光纤光栅的位相后,利用稳态多模速率方程组,对光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)的静态工作特性进行理论分析。结果表明:随着注入电流和耦合效率的增加,FGESL的SMSR总体上呈上升趋势。在强反馈情况下,得到了边模抑制比可达40dB,并且变化曲线比较平滑;然而,在弱反馈情况下,边模抑制比<36dB,并且呈现明显的抖动。

关 键 词:光纤光栅  半导体激光器  模式抑制比
文章编号:0253-2743(2006)05-0020-02
修稿时间:2006-04-05
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号