光纤光栅外腔半导体激光器的模式抑制比研究 |
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作者姓名: | 李松柏 夏光琼 邓涛 吴正茂 |
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作者单位: | 西南大学物理学院,重庆,400715;涪陵师范学院,重庆涪陵,408000;西南大学物理学院,重庆,400715 |
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摘 要: | 本文在考虑了光纤光栅的位相后,利用稳态多模速率方程组,对光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)的静态工作特性进行理论分析。结果表明:随着注入电流和耦合效率的增加,FGESL的SMSR总体上呈上升趋势。在强反馈情况下,得到了边模抑制比可达40dB,并且变化曲线比较平滑;然而,在弱反馈情况下,边模抑制比<36dB,并且呈现明显的抖动。
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关 键 词: | 光纤光栅 半导体激光器 模式抑制比 |
文章编号: | 0253-2743(2006)05-0020-02 |
修稿时间: | 2006-04-05 |
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