| Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响 |
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| 引用本文： | 林委之,李建军,于晓东,邓军,廉鹏,韩军,邢艳辉,沈光地.Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响[J].半导体光电,2007,28(2):202-204. |
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| 作者姓名： | 林委之 李建军 于晓东 邓军 廉鹏 韩军 邢艳辉 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电控学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,电控学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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北京市科委科研项目
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北京市属市管高等学校人才强教计划 |
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| 摘 要： | 用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构.分别采用1 000 ml/min和400 ml/min 的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析.发现Ⅴ/Ⅲ比不但会影响AlGaInP材料的生长速度,对外延材料与衬底GaAs的晶格失配度和材料的光学特性也有影响.
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| 关 键 词： | 红光LED 金属有机物化学气相沉积 AlGaInP Ⅴ/Ⅲ比 |
| 文章编号： | 1001-5868(2007)02-0202-03 |
| 修稿时间： | 2006-08-22 |
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