| 基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制 |
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| 引用本文： | 卢建娅,谭明,杨文献,陆书龙,张玮,黄健.基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制[J].半导体光电,2016,37(5):688-693. |
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| 作者姓名： | 卢建娅 谭明 杨文献 陆书龙 张玮 黄健 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,上海200444;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州,215123;上海空间电源研究所光伏研究中心,上海,200245;上海大学材料科学与工程学院,上海,200444 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61176128;61404157;61534008);国家“863”计划项目(2013AA050403);苏州市应用基础基金项目(SYG201437) |
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| 摘 要： | 对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究,报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法——金属背支撑选择性湿法刻蚀技术.在GaAs/GaInP选择性腐蚀的基础上进行了GaAs衬底层的腐蚀,研究了不同类型和体积比的溶液对GaAs/GaInP/AlInP结构腐蚀的选择特性,最终选用不同配比的H2 SO4-H2 O2系腐蚀液,获得快速、可控制、重复性好的去除衬底的两步腐蚀法.原子力显微镜测试结果表明,通过此方法能够成功地将电池外延层薄膜转移到Cu衬底上,并且在剥离和转移过程中外延层薄膜没有受到损伤.柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的开路电压超过3.4V.
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| 关 键 词： | AlGaInP/AlGaAs/GaAs 太阳电池 柔性薄膜 湿法腐蚀 重量比功率 |
| 收稿时间： | 2016/1/26 0:00:00 |
Study on Fabrication of AlGaInP/AlGaAs/GaAs Inverted Triple Junction Solar Cells Using Metal-Backed Etching Technique |
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| LU Jianya,TAN Ming,YANG Wenxian,LU Shulong,ZHANG Wei,HUANG Jian.Study on Fabrication of AlGaInP/AlGaAs/GaAs Inverted Triple Junction Solar Cells Using Metal-Backed Etching Technique[J].Semiconductor Optoelectronics,2016,37(5):688-693. |
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| Authors: | LU Jianya TAN Ming YANG Wenxian LU Shulong ZHANG Wei HUANG Jian |
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| Keywords: | AlGaInP/AlGaAs/GaAs solar cell flexible film wet etching power-to-weight ratio |
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