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Dy掺杂对ZnSe薄膜微结构的影响
引用本文:吴蓉,李蓉萍,何志刚,安晓晖,李忠贤. Dy掺杂对ZnSe薄膜微结构的影响[J]. 稀土, 2011, 32(3): 60-63
作者姓名:吴蓉  李蓉萍  何志刚  安晓晖  李忠贤
作者单位:内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室,内蒙古呼和浩特,010021
摘    要:利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了Dy的掺杂.用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征.结果表明,当Zn、Se原子配比为0.9:1时可制备较理想的ZnSe多晶薄膜,稀土Dy掺杂并未改变样品的物相结构,但掺杂使薄膜的晶格常数及晶胞体积略有增大,还使得薄膜的晶粒尺寸及压应力变小,掺杂...

关 键 词:ZnSe薄膜  微结构  真空蒸发  掺杂

Effect of Dy Doping on Microstructure of ZnSe Thin Films
WU Rong,LI Rong-ping,HE Zhi-gang,AN Xiao-hui,LI Zhong-xian. Effect of Dy Doping on Microstructure of ZnSe Thin Films[J]. Chinese Rare Earths, 2011, 32(3): 60-63
Authors:WU Rong  LI Rong-ping  HE Zhi-gang  AN Xiao-hui  LI Zhong-xian
Affiliation:WU Rong,LI Rong-ping,HE Zhi-gang,AN Xiao-hui,LI Zhong-xian(Key Laboratory of Semiconductor Photovoltaic Technology at Universities of Inner Mongolia Auonomous Region,College of Physical Science and Technology,Inner Mongolia University,Huhhot 010021,China)
Abstract:
Keywords:ZnSe thin films  microstructure  vacuum evaporation  doping  
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