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高效率n-nc-Si∶H/p-c-Si异质结太阳能电池
引用本文:张群芳,朱美芳,刘丰珍,周玉琴.高效率n-nc-Si∶H/p-c-Si异质结太阳能电池[J].半导体学报,2007,28(1):96-99.
作者姓名:张群芳  朱美芳  刘丰珍  周玉琴
作者单位:中国科学院研究生院 物理科学学院,北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院,北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院,北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院,北京 100049
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划) , 北京市属市管高等学校人才强教计划 , 北京工业大学校科研和教改项目
摘    要:采用热丝化学气相沉积技术(HWCVD),系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层)的晶化度以及晶体硅表面氢处理时间对nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池性能的影响,通过C-V和C-F测试分析了不同氢处理时间和本征缓冲层氢稀释度对nc-Si∶H/c-Si界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化度的nc-Si∶H/c-Si异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p型CZ晶体硅衬底上制备出转换效率为17.27%的n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si异质结电池.

关 键 词:纳米晶硅  异质结  太阳能电池  热丝化学气相沉积(HWCVD)
文章编号:0253-4177(2007)01-0096-04
修稿时间:8/13/2006 2:29:23 PM

High-Efficiency n-nc-Si:H/p-c-Si Heterojunction Solar Cells
Zhang Qunfang,Zhu Meifang,Liu Fengzhen and Zhou Yuqin.High-Efficiency n-nc-Si:H/p-c-Si Heterojunction Solar Cells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(1):96-99.
Authors:Zhang Qunfang  Zhu Meifang  Liu Fengzhen and Zhou Yuqin
Affiliation:College of Physical Sciences, Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
Abstract:
Keywords:nano-crystalline silicon  heterojunction  solar cells  HWCVD
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