分布子电子回旋共振等离子体制备高质量二氧化硅薄膜

介绍了一种采用ＤＥＣＲ等离子体在低温下制备高质量ＳｉＯ２薄膜的ＰＥＣＶＤ工艺。讨论了ＤＥＣＲＰＥＣＶＤ工艺中气相Ｏ／Ｓｉ原子比以及沉积速率对ＳｉＯ２薄膜性能的影响。采用包括高能离子分析，椭扁仪，化学刻蚀以及红外吸收谱等物理和化学方法，对所镀ＳｉＯ２薄膜的各种理化特性地分析和研究。