Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延 |
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引用本文: | 樊玉薇,李永祥.Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体电化学原子层外延[J].真空科学与技术,1998,18(4):302-307. |
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作者姓名: | 樊玉薇 李永祥 |
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摘 要: | 介绍了一种外延沉积化合物半导体材料的新方法-电化学原子层外延技术,它将电化学沉积技术与原子层外延技术结合起来,通过运用欠电热技术交替电化学沉积化合物的组成元素一次一个单原子层而实现外延生长。从而使外延技术具有电沉积简单与低成本的优点。
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关 键 词: | 电化学 原子层外延 Ⅱ-Ⅵ族 化合物半导体 |
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