电子能谱研究生长高质量CeO2／Si异质结

用低能双离子束淀积技术，在清洁的Ｓｉ衬底上外延生长出了ＣｅＯ２／Ｓｉ异质结构。利用俄歇电子能谱，Ｘ射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析。结果表明，样品界面清晰、陡峭，无氧化硅生成，这反映了外延层Ｓｉ衬底间过渡区很窄；外延层内组成元素Ｃｅ，Ｏ分布均匀，为正化学比ＣｅＯ２相。