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| PECVD生长nc—Si：H膜的沉积机理分析 | |
| 引用本文： | 彭英才,何宇亮.PECVD生长nc—Si：H膜的沉积机理分析[J].真空科学与技术,1998,18(4):283-288. |
| 作者姓名： | 彭英才 何宇亮 |
| 作者单位： | [1]河北大学电子与信息工程系 [2]北京航空航天大学非晶态物理研究所 |
| 摘 要： | ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜具有显著不同α－Ｓｉ：Ｈ与μｃ－Ｓｉ：Ｈ膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发，定性地分析了本征ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ与掺磷ｎｃ－Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ膜的沉积机理，并提出了进一步改善膜层质量的新途径。 |
| 关 键 词： | PEVCD nc－Si：H膜 沉积机理 退火处理 自组织生长 |
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