微波ECR—PCVD技术制备Si3N4薄膜的研究与应用 |
| |
作者姓名: | 程绍玉 任兆杏 |
| |
作者单位: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| |
摘 要: | 受电子器件芯片铝电极耐温性能的限制和钝化膜沉积避高能粒子对芯片辐射损伤等因素的影响,一般的沉积方法难以用到要求较高的浅结器件的钝化工艺中,微波ECR-PCVD技术没有高能粒子对芯片的辐射损伤,可以在较低的温度条件下沉积出均匀致密,性能优良的Si3N4薄膜,因而成为微电子器件沉积钝化膜的最佳工艺。
|
关 键 词: | 电子回旋共振 薄膜 钝化 氮化硅 制备 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|