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源气体流量比对a_C:F:N薄膜的影响
引用本文:张云芳.源气体流量比对a_C:F:N薄膜的影响[J].材料科学与工程学报,2006,24(4):611-613.
作者姓名:张云芳
作者单位:江苏科技大学数理学院,江苏,镇江,212003
摘    要:以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体,利用rf-PECVD沉积技术制备了氮掺杂氟化非晶碳(a_C:F:N)薄膜,研究了源气体流量比对a_C:F:N薄膜沉积速率和结构的影响.用椭圆偏振光谱测试仪测量了薄膜厚度,结合沉积时间计算了薄膜的沉积速率(在18~21nm/min之间),随流量比增大,薄膜的沉积速率先升高后降低.FTIR光谱分析表明,随流量比增大,薄膜中含F量降低,交联结构增强.Raman光谱分析发现,薄膜中的碳原子由sp2和sp3两种组态的混合结构组成,并进一步证明,随流量比增大,薄膜中sp2键含量增加,交联程度增强.

关 键 词:流量比  氮掺杂氟化非晶碳薄膜  拉曼光谱
文章编号:1673-2812(2006)04-0611-03
修稿时间:2005年10月20

Influence of Source Gas Flow Ratios on a_ C:F:N Films
ZHANG Yun-fang.Influence of Source Gas Flow Ratios on a_ C:F:N Films[J].Journal of Materials Science and Engineering,2006,24(4):611-613.
Authors:ZHANG Yun-fang
Abstract:
Keywords:flow ratio  a_-C:F:N films  Raman spectrum
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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