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| γ辐照对硅单晶电学参数的影响 | |
| 引用本文： | 张继荣,史继祥,佟丽英.γ辐照对硅单晶电学参数的影响[J].半导体技术,2005,30(5):67-68. |
| 作者姓名： | 张继荣 史继祥 佟丽英 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
| 摘 要： | 对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比.结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大而对其少子寿命影响很大. |
| 关 键 词： | γ辐照 硅单晶 电阻率 少子寿命 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)05-0067-02 |
| 修稿时间： | 2005年2月24日 |
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