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| 采用半导体热电堆的激光体吸收卡计 | |
| 引用本文： | 王瑞华.采用半导体热电堆的激光体吸收卡计[J].中国激光,1981,8(3):55-56. |
| 作者姓名： | 王瑞华 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光机所 |
| 摘 要： | 在高功率脉冲激光体吸收卡计中,温升是通过粘在接收盘后面的金属丝热电偶测量的,这些热电偶灵敏度低、电阻大、粘结工艺复杂.在半导体热电堆激光卡计中,用半导体热电堆代替金属丝热电偶,与金属丝热电偶相比,具有:(1)灵敏度高,因为每对半导体热电元件的温差电动势率约400微伏/℃,而金属丝热电偶的温差电动势为41微伏/℃(指铜-康铜热电偶).(2)电阻低,通常18对串联的半导体热电堆其电阻只有2～3欧姆,而同样对数的金属丝热电偶串联时,电阻可达60～70欧姆,因此可降低对放大器的苛刻要求.(3)制作工艺简单,因为半导体热电元件可制成多偶单元串联组件,然后简单地胶到卡计吸收体上,从而避免了热电偶焊接、粘结的复杂工艺. |
| 收稿时间： | 1980/4/7 |
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