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纵向a—Si MOSFET集成电路
摘 要:
采用非晶硅的原生二氧化硅作为绝缘栅,使纵向a-Si MOSFET的特性得到明显的改善。a-Si材料的最大场致迁移率为1.2cm/V.s。用纵向a-Si MOSFET成功地研制了E/E倒相器和环型振荡器,最小门延时时间为95ns,同时还描述了a-Si MOSFET RS触发器的电路特性。
关 键 词:
a-Si
MOSFET
集成电路
非晶硅场效应晶体管
电特性
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