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5 GHz 0.18 μm CMOS工艺正交输出VCO
引用本文:陈莹梅,王志功,朱恩,冯军,章丽.5 GHz 0.18 μm CMOS工艺正交输出VCO[J].光通信研究,2004(2):39-41.
作者姓名:陈莹梅  王志功  朱恩  冯军  章丽
作者单位:东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096
基金项目:国家"八六三计划"资助项目(2001AA312060)
摘    要:文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90 ℃的正交输出时钟.采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.9~5.5 GHz,模拟的相位噪声为-119.3 dBc/Hz@5 M,采用1.8 V电源电压,核芯电路的功耗为30 mW, 振荡器核芯面积为60 μm×60 μm.

关 键 词:电压控制振荡器  CMOS振荡器  环形振荡器  相位噪声
文章编号:1005-8788(2004)02-0039-03
修稿时间:2003年12月15
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