| CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器 |
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| 引用本文： | 杨恒昭,熊斌,李铁,王跃林. CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器[J]. 半导体技术, 2008, 33(9) |
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| 作者姓名： | 杨恒昭 熊斌 李铁 王跃林 |
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| 作者单位： | 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,传感技术联合国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市应用材料研究与发展项目 |
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| 摘 要： | 提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用XeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器.探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等.作为红外吸收层的氧化硅/氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口,使用各向同性的干法刻蚀从正面刻蚀衬底释放器件.探测器尺寸为2 mm×2 mm,由20对多晶硅-铝热电偶组成,串联电阻16～18 kΩ.释放后的器件特性响应率13～15 V/W,探测率(1.85～2.15)×107 cmHz1/2/W,时间常数20～25ms.
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| 关 键 词： | 热电堆 红外探测器 干法刻蚀 XeF2气体 |
CMOS Process Compatible Thermopile Infrared Detector |
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| Yang Hengzhao,Xiong Bin,Li Tie,Wang Yuelin. CMOS Process Compatible Thermopile Infrared Detector[J]. Semiconductor Technology, 2008, 33(9) |
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| Authors: | Yang Hengzhao Xiong Bin Li Tie Wang Yuelin |
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| Affiliation: | Yang Hengzhao1,2,Xiong Bin1,Li Tie1,Wang Yuelin1(1.State Key Laboratory of Transducer Technology,Shanghai Institute of Microsystem , Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China,2.Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China) |
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| Abstract: | CMOS process compatible thermopile infrared detector which is released by dry etching of bulk silicon with XeF2 vapor was presented.This detector consists of six components:bulk silicon,detector frame,thermopile,supporting layer,infrared radiation absorbing membrane and etching windows.The absorbing membrane is composed of silicon oxide and silicon nitride compound films.Various types of etching windows are cut in the absorbing membrane through which XeF2 vapor removes off the bulk silicon,and then the ther... |
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| Keywords: | thermopile infrared detector dry etching XeF2 vapor |
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