| 随机掺杂波动引起阈值电压偏离的统计分析 |
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| 引用本文： | 吕伟锋,林弥,孙玲玲. 随机掺杂波动引起阈值电压偏离的统计分析[J]. 电路与系统学报, 2011, 0(5): 43-46,42 |
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| 作者姓名： | 吕伟锋 林弥 孙玲玲 |
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| 作者单位： | 浙江大学超大规模集成电路设计研究所;杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家973计划项目“硅基毫米波亚毫米波集成电路与系统的基础研究”(2010CB327403) |
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| 摘 要： | 工艺参数波动和偏离已严重影响纳米集成电路制造性能和成品率,阈值电压是MOS集成电路设计中的重要参数,而随机掺杂工艺波动是引起阈值电压的偏离的一个重要因素.本文根据阈值电压的偏离的物理机制,通过统计分析的方法,推导随机掺杂波动引起阈值电压偏离标准差的简洁表达式,根据该公式计算了实际纳米工艺器件阈值电压偏离的标准差数据,该...
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| 关 键 词： | 随机掺杂 工艺参数偏离 阈值电压 统计分析 |
Statistical analysis of random doping induced threshold voltage variations |
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| LV Wei-feng,LIN Mi,SUN Ling-ling. Statistical analysis of random doping induced threshold voltage variations[J]. Journal of Circuits and Systems, 2011, 0(5): 43-46,42 |
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| Authors: | LV Wei-feng LIN Mi SUN Ling-ling |
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| Affiliation: | 1.Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hanghzou 310027,China;2.Key Lab of Ministry of Education for RF Circuits and Systems,Hanghzou Dianzi University,Hangzhou 310018,China) |
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