衬底对砷化镓场效应晶体管阈值电压的影响

在切克劳斯基液封法(LEC)制得的In_(0.003)Ga_(0.997)As圆片上,直接用注入制作的场效应晶体管阵列比按同样工序在常规的LECGaAs圆片上制得的场效应晶体管阵列显示出更好的阈值电压均匀性。然而,不论在掺铟的还是在常规的LEC GaAs衬底上,晶体管的阈值电压和与位错的接近程度并没有关系。观察到的阈值电压与GaAs衬底的局部位错浓度有关这一现象,可能导致阈值电压受其位错接近程度的影响的错误结论。