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CdTe基底表面的STM研究
作者姓名:赵谢群
摘    要:用扫描遂穿显微镜(STM)研究了用于 MBE 生长的 CdTe 基底表面,发现其表面不平整度取决于不同的表面制备步骤。机械抛光试样的表面粗糙度大约为100nm,这是由抛光粉决定的。用化学-机械抛光法制备的样品表面粗糙度下降至60nm。经腐蚀抛光后的

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