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| 8通道-1.6nm Si纳米线阵列波导光栅的设计与制作 | |
| 作者姓名： | 赵雷 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60776057,60837001,60877014); 科技部863计划资助项目(2006AA03Z420) |
| 摘 要： | 设计了基于绝缘层上硅(SOI)材料的8通道Si纳米线阵列波导光栅(AWG),器件的通道间隔为1.6nm,面积为420μm×130μm。利用传输函数法模拟了器件传输谱,结果表明,器件的通道间隔为1.6nm,通道间串扰为17dB。给出了结合电子束光刻(EBL)和感应耦合等离子(ICP)刻蚀技术制备器件的详细流程。光谱测试结果分析表明,器件通道间隔为1.3～1.6nm,通道串扰为3dB,中心通道损耗为11.6dB。 |
| 关 键 词： | 阵列波导光栅(AWG) Si纳米线波导 电子束光刻(EBL) 感应耦合等离子(ICP)刻蚀 |
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