基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计 |
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作者姓名: | 齐文正 林敏 杨根庆 董业民 黄水根 |
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作者单位: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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基金项目: | 中国科学院重点部署项目 |
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摘 要: | 基于TSMC 0.13 μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(WiFi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器.驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构.利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压的相位,进而弥补了共源共栅结构的劣势,增加了整个系统的线性度和增益.另外,使用外部数字信号控制每级偏置的大小来适应不同的输出需求.整个结构采用电源电压:第一级为1.8V,后两级为3.3V,芯片面积为1.93 mm×1.4 mm.利用Candence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器进行仿真.结果表明,在2.4 GHz的工作频点,功率放大器的饱和输出功率为24.9 dBm,最大功率附加效率为22%,小信号增益达到28 dB.
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关 键 词: | 互补金属氧化物半导体(CMOS) 无线保真(WiFi) 功率放大器(PA) 线性度 共源共栅 |
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