| 硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件 |
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| 引用本文： | 陶桂龙,许高博,徐秋霞.硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件[J].半导体技术,2017,42(6):411-420. |
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| 作者姓名： | 陶桂龙 许高博 徐秋霞 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院大学,北京100049;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院大学,北京100049;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院大学,北京100049 |
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| 基金项目： | 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题支持项目 |
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| 摘 要： | 综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展.针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析.概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径.研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力.
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| 关 键 词： | Ⅲ-Ⅴ族纳米线 异质结 场效应晶体管 激光器 太阳电池 |
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