硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件 |
| |
作者姓名: | 陶桂龙 许高博 徐秋霞 |
| |
作者单位: | 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院大学,北京100049;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院大学,北京100049;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;中国科学院大学,北京100049 |
| |
基金项目: | 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题支持项目 |
| |
摘 要: | 综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展.针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析.概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径.研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力.
|
关 键 词: | Ⅲ-Ⅴ族纳米线 异质结 场效应晶体管 激光器 太阳电池 |
本文献已被 万方数据 等数据库收录! |
|