一种片内电流模比较增强型上电复位电路

介绍了一种片内电流模比较增强型上电复位电路。与传统的片内上电复位电路相比,该上电复位电路避免了二极管复位电路复位信号不彻底和基准增强型上电复位电路较复杂的缺点,利用简单的二极管箝位模块、电流模比较模块和逻辑电平迟滞模块,增强了上电复位信号,有利于后续逻辑单元的翻转。电路采用标准0.35 μm CMOS工艺进行设计和流片。芯片样品电路测试结果表明,在3.3 V电源电压下,电路工作正常,其上电复位逻辑高电平约2.3 V,比普通二极管复位电路高约0.8 V,有利于后续逻辑单元的翻转,且电路结构比基准型复位电路简单。