| CMOS低相位噪声压控振荡器的设计 |
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| 引用本文： | 薛兵,高博,路小龙,龚敏,陈昶.CMOS低相位噪声压控振荡器的设计[J].微电子学,2015,45(1):23-25, 31. |
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| 作者姓名： | 薛兵 高博 路小龙 龚敏 陈昶 |
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| 作者单位： | 四川省微电子技术重点实验室, 成都 610064,四川省微电子技术重点实验室, 成都 610064,四川省微电子技术重点实验室, 成都 610064,四川省微电子技术重点实验室, 成都 610064,四川省微电子技术重点实验室, 成都 610064 |
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| 摘 要： | 基于65 nm CMOS标准工艺库,设计了一个工作频率在10 GHz的具有低相位噪声的CMOS电感电容型压控振荡器。该压控振荡器选用CMOS互补交叉耦合型电路结构,采用威尔逊型尾电流源负反馈技术来降低相位噪声。仿真结果表明,此压控振荡器工作频率覆盖范围为9.9~11.2 GHz,调谐范围为12.3%,中心频率为10.5 GHz,在频率偏移中心频率1 MHz下的相位噪声为-113.3 dBc/Hz,核心功耗为2.25 mW。
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| 关 键 词： | VCO 相位噪声 Q值 负反馈 |
| 收稿时间： | 2014/3/21 0:00:00 |
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