| (B/Ti)_n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能 |
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| 引用本文： | 蔡贤耀,蒋洪川,闫裔超,张宇新,邓新武,张万里.(B/Ti)_n/TaN薄膜点火桥的制备及点火性能[J].含能材料,2015,23(3):265-269. |
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| 作者姓名： | 蔡贤耀 蒋洪川 闫裔超 张宇新 邓新武 张万里 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054,电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054 |
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| 基金项目： | 国防预研基金资助(9140A12040412DZ02138) |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射与微细加工技术,将B/Ti多层膜沉积在TaN模桥制备了(B/Ti)n/TaN薄膜点火桥(膜桥),其中TaN膜桥的尺寸为80m×40m×2m,B/Ti多层膜尺寸为4mm×4mm,层数为40层,第一层B厚度400nm,其后每层B或Ti厚度为200nm,总μμμ厚度约8m。用电压40V、电容47F的钽电容对样品进行发火性能测试。结果表明:TaN膜桥的点火延迟时间为85s、点火输μμμ入能量15mJ、爆炸温度2500~3500K、火焰持续时间0.15ms左右、炸药持续高度5mm左右,而(B/Ti)n/TaN膜桥的点火延迟时间为37s、点火输入能量6mJ、爆炸温度4000~8500K、火焰持续时间大于0.25ms、火焰持续高度10mm以上。在点火桥上沉积B/Tiμ多层膜可降低点火延迟时间和点火输入能量,有效提升火工品的点火性能。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 (B/Ti)n/TaN膜桥 TaN膜桥 B/Ti多层膜 |
| 收稿时间： | 2014/3/11 0:00:00 |
| 修稿时间： | 5/5/2014 12:00:00 AM |
Fabrication and Performances of (B/Ti)n/TaN Thin-film Initiator Bridge |
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| CAI Xian-yao,JIANG Hong-chuan,YAN Yi-chao,ZHANG Yu-xin,DENG Xin-wu and ZHANG Wan-li.Fabrication and Performances of (B/Ti)n/TaN Thin-film Initiator Bridge[J].Chinese Journal of Energetic Materials,2015,23(3):265-269. |
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| Authors: | CAI Xian-yao JIANG Hong-chuan YAN Yi-chao ZHANG Yu-xin DENG Xin-wu and ZHANG Wan-li |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054, China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054, China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054, China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054, China,State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054, China and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering (B/Ti)n/TaN thin-film initiator bridge TaN thin-film initiator bridge B/Ti multilayer films |
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