| TFT工艺中的反应性离子刻蚀 |
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| 引用本文： | 柳江虹,袁剑峰,杨柏梁,梁庆成.TFT工艺中的反应性离子刻蚀[J].液晶与显示,1999,14(1):29-33. |
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| 作者姓名： | 柳江虹 袁剑峰 杨柏梁 梁庆成 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021 |
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| 基金项目： | 中国科学院“九五”重大项目 |
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| 摘 要： | 对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。
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| 关 键 词： | 反应性离子刻蚀 选择比 TFT器件 |
Reactive Ion Etching in TFT |
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| Liu Jianghong,Yuan Jianfeng,Yang Bailiang,Liang Qingcheng.Reactive Ion Etching in TFT[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,1999,14(1):29-33. |
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| Authors: | Liu Jianghong Yuan Jianfeng Yang Bailiang Liang Qingcheng |
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| Abstract: | The reactive ion etching (RIE) in TFT was studied in this paper The etching-ratio of several films often used in TFT was provided, and the influence of other gases (such as Ar, H 2) to etching-ratio was discussed |
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| Keywords: | reactive ion etching selectivity-ratio TFT device |
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