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杂志ISSN号
半导体激光器减反射膜的制备及其反射率的测量
作者姓名:
李大义
卢玉村
陈建国
潘大任
作者单位:
四川大学物理系(李大义,卢玉村,陈建国),四川大学物理系(潘大任)
摘 要:
用真空热蒸发技术,监测被镀器件的自发辐射,在GaAs半导体激光器端面上成功地制备了高效减反射膜。用Kaminow等人提出的间接方法测得其剩余反射率为5×10~(-4)。
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