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| HgZnTe体晶的生长及其特性 | |
| 引用本文： | 龚琰民.HgZnTe体晶的生长及其特性[J].红外与激光工程,1988(2). |
| 作者姓名： | 龚琰民 |
| 摘 要： | 利用移动加热器法(THM)生长了体晶Hg_(1-x)Zn_xTe,对应于10μm探测波长的x=0.15的体晶,其纵向均匀性为±0.02克分子,材料的硬度高于(Hg,Cd)Te,显示出有较高的结合强度。测定的主要几个光电子参数与(Hg,Cd)Te的接近。 |
| 关 键 词： | 碲锌汞 红外探测器 外延生长 晶体生长 光电子学 参数分折 |
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