| PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 邱春文,石旺舟,黄羽中. PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究[J]. 液晶与显示, 2003, 18(3): 201-204 |
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| 作者姓名： | 邱春文 石旺舟 黄羽中 |
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| 作者单位： | 汕头大学,物理系,广东,汕头,515063 |
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| 基金项目： | 广东省科委资助项目(130 122084) |
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| 摘 要： | 在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径＞100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后，沉积速率提高了近10倍。分析认为，在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3)，而不可能是SiHn(n≤3)基团。
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| 关 键 词： | PECVD法 多晶硅薄膜 低温沉积 太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积法 |
| 文章编号： | 1007-2780(2003)03-0201-04 |
| 修稿时间： | 2002-10-31 |
Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films at Low Temperature by PEVCD |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | plasma enhanced chemical vapor deposition polycrystalline silicon thin films low-temperature growth |
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