| AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取 |
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| 引用本文： | 刘丹,陈晓娟,罗卫军,李诚瞻,刘新宇,和致经.AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取[J].半导体学报,2007,28(Z1):411-413. |
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| 作者姓名： | 刘丹 陈晓娟 罗卫军 李诚瞻 刘新宇 和致经 |
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| 作者单位： | 刘丹（中国科学院微电子研究所,北京,100029）;陈晓娟（中国科学院微电子研究所,北京,100029）;罗卫军（中国科学院微电子研究所,北京,100029）;李诚瞻（中国科学院微电子研究所,北京,100029）;刘新宇（中国科学院微电子研究所,北京,100029）;和致经（中国科学院微电子研究所,北京,100029） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 小信号等效电路 参数提取 AlGaN HEMT 器件 小信号等效电路模型 数值 快速提取 Equivalent Circuit Parameters Extraction 指导 反馈 工艺 优化 advanced design system 仿真软件 小信号参数 方法 小信号提取 宽带 国际通用 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0411-03 |
| 修稿时间： | 2006年12月12 |
Extraction of the Small-Signal Equivalent Circuit Parameters of the AlGaN/GaN HEMT Device |
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| Liu Dan,Chen Xiaojuan,Luo Weijun,Li Chengzhan,Lin Xinyu,He Zhijing.Extraction of the Small-Signal Equivalent Circuit Parameters of the AlGaN/GaN HEMT Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):411-413. |
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| Authors: | Liu Dan Chen Xiaojuan Luo Weijun Li Chengzhan Lin Xinyu He Zhijing |
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