| 兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟 |
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| 引用本文： | 刘奎伟,韩郑生,钱鹤,陈则瑞,于洋,饶竞时,仙文岭. 兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟[J]. 半导体学报, 2003, 24(7): 758-762 |
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| 作者姓名： | 刘奎伟 韩郑生 钱鹤 陈则瑞 于洋 饶竞时 仙文岭 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院微电子中心，北京l00029 [2]中国科学院微电子中心，北京l00029；北京首科微电子工业研发中心有限公司，北京100029 [3]首钢日电电子有限公司，北京l00041 |
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| 摘 要： | 在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0 .5 μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到10 8V,PMOS耐压达到- 6 9V.在标准CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压CMOS器件,从而实现高、低压CMOS器件的集成.此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路.
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| 关 键 词： | 高压CMOS 0.5μm 兼容工艺 模拟 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)07-0758-05 |
| 修稿时间： | 2002-08-06 |
Design and Simulation of High-Voltage CMOS Devices Compatible with Standard CMOS Technologies |
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| Liu Kuiwei ,Han Zhengsheng ,,Qian He ,,Chen Zerui ,Yu Yang ,Rao Jingshi and Xian Wenling. Design and Simulation of High-Voltage CMOS Devices Compatible with Standard CMOS Technologies[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(7): 758-762 |
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| Authors: | Liu Kuiwei Han Zhengsheng Qian He Chen Zerui Yu Yang Rao Jingshi Xian Wenling |
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| Affiliation: | Liu Kuiwei 1,Han Zhengsheng 1,3,Qian He 1,3,Chen Zerui 2,Yu Yang 2,Rao Jingshi 2 and Xian Wenling 2 |
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| Abstract: | |
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